(275) Th(Morse) on W(FS) タングステン上のトリウム
W(110)面に吸着するThまたはLaまたはBaを観察します。W基板の温度は調節できます。
W面の拡がり方向には周期的境界条件が付けられています。gateをopenすると、開放系になります。
W-W間はFSポテンシャル、WとTh、ThとThの間はMorse型のポテンシャルを適用しています。
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